【行业动态】节能的磁性随机存储器:为自旋电子器件带来新机遇

      导读


      据韩国浦项科技大学官网近日报道,该校与首尔大学的研究人员展示了一种提升自旋轨道力矩磁性随机存储器(SOT-MRAM)能源效率的新方法,为未来基于自旋电子学的节能的磁存储器带来了振奋人心的新机遇。


      背景


      现代计算机技术中,存储器(Memory)一直处于非常重要的地位。简单说,存储器就是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。目前,构成存储器的存储介质主要是半导体器件和磁性材料。主流的存储器以随机存取存储器(RAM)与闪存(Flash)为代表。


2GB DDR2 RAM 模块(图片来源:维基百科)


图片左侧的芯片是Flash存储器(图片来源:维基百科)


      RAM 读写速度快,但无法长时间储存数据,断电时将丢失存储的数据,具有易失性Flash 能保存数据,断电条件下也能长久保持数据,具有非易失性,但读写速度却相对较慢。


      近年来,人工智能、云计算、边缘计算、物联网等新兴技术对于存储器提出了越来越高的要求(例如容量高、速度快、功耗低、成本低、尺寸小等)。因此,许多科研团队与科技公司都积极研发新一代的存储器,主要目标就是将 RAM 的速度优势和 Flash 的非易失性优势结合起来。


      其中,磁阻式随机存取存储器 MRAMMagnetic Random Access Memory)就是非常具有代表性的一种新型存储器。它是一种非易失性的磁性随机存储器,拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读写能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,并且基本上可以无限次地重复写入。